二维原子晶体材料，特别是过渡金属硫属化合物(TMDCs)，由于其原子级厚度、高载流子迁移率和可调电子结构，表现出丰富的物理性能，近几年来被广泛认为是后摩尔时代的重要电子材ぷ料之一。特别是其抑制短沟道效应、低内禀载流子浓度的特点，使其在新型逻辑器件、高性能红外探测等领域受到广泛重视。然而，由于硫族元素√高分压导致的非金属缺陷，TMDCs通常表现出「n型导电特性。

近日，四川大学特聘研究员王泽高团队在新型二维◤原子晶体材料PtS可控制备及其光电探测的外场调控方面取得了新▅成果。通过直接硫化法制备了原子层厚▆度的四方相PtS半导体薄膜，对■其电输运性质及接触电极性质进行研究揭示其p型半导特性，丰富了p型二维原子晶体种〗类。在此基础上，构筑了PtS/MoS2 p-n结光电晶体管，研究了异质结内建电势及外场调控的光电探测，表现』出宽带、高探测率的优异光电探测性能。耦合外电场与光场，研究人员展示了材料光-物质作用的调控机制，实现了外量子效率及光生载流子寿命的调控。

该工作为研究外物理场调控二维原子晶体¤基光电探测提供了一种新思路，对红外探测具有重要意义，相关成∏果以“Manipulate the Light-Matter Interaction of PtS/MoS2 p–n Junction for High Performance Broadband Photodetection”为题发表在著名期刊《Advanced Functional Materials》上。论文第一作者为我校硕士二年级研究生李芳，我校王泽高特聘Ψ 研究员为通讯作者，四川大学为该论文的唯一署名单位。

上述研究工作得到◤国家自然科学基金(52002254)和四川省科技厅应用基础研█究重点项目(2020YJ0262)等项目资助。

原文链接：https://doi.org/10.1002/adfm.202104367