德显筑芯程—“漫道”讲堂(七)|现代集成电路的可靠性挑●战和加固技术
西电新闻网讯(通讯员 黄茜 厉成江)集成电路(Integrated Circuit,简称IC)作为20世纪最重要的发明之一,是一种将大量微电子器件集成在芯Ψ 片上的高级微电子器件,其作为电子设备最重要的组成部分,承担着运算和存储等功能。可靠性技术在集成电路产业发展中起着非常重要的作用,因为产品的发展除了高性↓能以外还需要高质量与高可靠性,随着器件尺寸持续缩小,其可靠性显得越来越重要。
为丰富学∞生知识体系,拓展专业视野,使学生更加深入了解集成电路的发展,并提早为继续深造做好充足准备,海棠9号书院与微电子学院协同合作,从2020年秋季学期☉开始为三年级同学开设系列专家、学者讲座,分别由包括院士、长江学者、杰青等在内的32名教授、博导担任主讲,主要介绍技术热点、学术前沿、学习与科研方法等方向,助力人才的多元化培养。10月7日晚,微电子学院刘红侠教授做客“漫道”讲堂,从自己的研究领域出发,以“现代集成电路的可靠性挑战和加固技术”为主题向同学们介绍了现代集成〖电路的发展现状。
刘教授简介
刘教授从集成电路基本组成器件——MOSFET出发,从器件的∩结构、材料组成和附加效应由浅入深的向同学们介绍了现代集成电路的可靠性面临的挑战和目前应用的加固技术。刘教授将可靠性问题分为“L缩小导致场强☆可靠性问题”、“强场氧化层的可靠性”、“铜互连的可靠性”、“超薄栅氧化层可靠性”和“短沟道MOS器件的HC效应”五个部分,结合自己ζ的研究方向为同学们详细介绍了目前可靠性技术面临的问题。最后刘教授列举了目前国际上的主流可靠性加固方法,着重介绍了槽栅器件工艺,并从凹槽拐角、负结深度、衬底和ω 沟道杂质浓度对槽栅器件特性的影响进行了系统分析,并与相应平面器件的特性进行了对比。刘教授的讲述严谨又不失风趣,深入浅出,同学们听完后纷纷表示受※益匪浅。
刘教授讲述强场氧化层的可靠性问题
近年来,我国集成电路产业发展不断取得进步,但是核心技术受制于人的局面仍然没有根本改变,急需加强核心】技术攻关,提升产业竞争能力。郝跃院士曾经说过:“国家需求是我们的第一原则,我们的科研工作」要在国家需求的情况下确定主攻方向,定好方向后,瞄准国际最好水平去奋斗、去努力。”作为㊣ 集成电路发展领域的主力军,西电微院被时代赋予了重大历史使命,微院学█子将会以扎实的学科知识、专业的科学素养和热烈的家国情怀,不断创新、进步,书写中国集成电路发展的新辉煌。
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