中国科大主导制定半导体线宽检测的首个ISO国际标准
近日,国际标准化组织(ISO)正式发布了微束分析领域中的一项国际标准:“基于测长扫描电镜的关键尺」寸评测方法”(Microbeam analysis — Scanning electron microscopy — Method for evaluating critical dimensions by CD-SEM (ISO 21466)),该标准由中国科学技术〗大学物理学院和微尺度物质科学国家研究中心的丁泽军团⊙队主导制定,是半导体线宽测量方面的♀首个国际标准,也是半导体检测领域由中国主导制定】的首个国际标准,该标准的发布有助于促进半导体评测技术的发展,并提升我国在半导体行业的国际影响力和竞∴争力。
半导体行业的发展日新月异,对集成电路器件加工尺寸的控制也要求日趋精细。芯片上的物【理尺寸特征被称为特征尺寸,其中最小的特征尺寸称为关键尺寸(CD),其大小代表了√半导体制造工艺的复杂性水平。对CD测量也可称为纳米尺度线宽测量,目前半导体的刻蚀线宽已经降到10 nm以下,其测量的精准性直接决定着器件的性能。纳米器件※尺度的准确和精确(精度<1 nm)测量技术对半导体行业的发展起着至关重要的作用,也是极具挑战性的工作。人们已经发展了多种测量技术手▆段,如散射测量、原■子力显微镜、透射电子显微镜和扫描电子显微镜,而测长扫描电镜(CD-SEM)是半导体工业生产中进行实时监控与线宽测量的最为简便和高效的〗方法。然而,由于扫描电镜的二次电子信号发射在线宽边沿处的加强效应,纳米级线宽的CD-SEM图像的解析需要建ω 立高精准算法。
丁泽军团队长期从事电子束与材料相互作用领域里的△基础研究,发展了目前国际上最为先进的用于扫描电子显微术和表面电子能谱学的Monte Carlo模拟计算方法,他们◎结合了NIST研究团队提出的“基于模型数据库”(MBL)方法,提出了该“基于测长扫描电镜的关键尺寸评测方法”的ISO国际标准(IS)。标准¤文档指定了利用CD-SEM成像表征刻蚀线宽的结构模型及其相关参数、Monte Carlo模拟模型和成像扫『描线计算方法、MBL数据库构造方法和文件格式、图像匹配拟合程序和CD参数定值法。与传统的经验阈值方法相々比,该测量方法能够给出准确的CD值,并且把线宽测量从单一参数扩展到包含结构形貌特征的信息,适用于如晶圆上的█栅极、光掩模、尺寸小至10 nm的单个孤立的或密集的线条特征图案,这不仅〓为半导体刻蚀线宽的CD-SEM准确评测确定了行业标准,也为一般性纳米级尺寸的其它测量法提供了参考。
研究团≡队自2011年始,在973项目“纳米测量技术标准的基础研究”课题“基于SEM的纳米测长模型”的研究成果基础上,于2014年在ISO/TC202/SC4做了←新标准项目提案报告,2015年递交投票新标准项目提案,2016年5月投票通过予╱以国际标准(IS)正式立项。该标准草案先后经历了四轮成员国投票,于2019年9月27日终轮投票通过,标准现已正式出版(https://www.iso.org/standard/70944.html)。
参与№该标准相关研究和制定工作的团队主要成员为:邹艳波(现新疆师范大学)、李永钢(现中科院合肥物质科学研究院)、李会民(现@ 中科大超级计算中心)。上述研究得到了科技部973项目、国家自然科学基金委和中科大超算中心的支持。
(合肥微尺度物质科学国家研究中心、物理学院、科技成果转移转化办公室)
未〓经允许不得转载:二九年华大学门户 » 中国科大主导制定半导体线宽检测的首个ISO国际标准
相关推荐
- 学校召开本年度第十次学∏生工作例会
- 中国科大发现肝脏肿瘤逃脱自然杀伤细胞免疫监视的新机制
- 中国科大首次实现高维度量子隐形传态
- 瑞典皇家∮科学院院士Leif Groop教授应邀至中国科▃大附一院≡讲学
- 【战“疫”一线】整建制接管1个重症病区!中国科大附一院137名队员驰援武汉!
- 学校召开↓党委常委会议
- 人文素质教学研究部召开新文科建设研讨会
- 我校核探测与核电子学国家重点实验室自主研制的ASIC芯片 将用于LHAASO工程
- 【战“疫”一线】支援湖北“满月”!听首批逆行者的々◥“心声”!
- 江苏省委常委苏州市委书记周乃翔一行来我校调研
- 中国科大实验验证纠缠鲁棒性与拓扑相的⊙关系
- 管理学院与科大附中举行南区MBA中心楼宇交接仪式卐
- 校庆工作领导小组到各学院、国家(重点)实验室开展调研活动
- 国家卫生健〒康委副主任王贺胜赴中国科大附一院(安徽省立医院)考察调研
- 中国科大实现量子态在非相干操作下的转化
- 中国科大@ 在地球深内部物质和结构异常成因︼研究中取得重要进展
- 近三千名学生走进食堂迎冬至包饺子
- 我校与闽江学院签署合作协议
- 学校巡视整改第四督导组赴有♀关单位开展督导工作
- 中国科大在揭示水热合成的流体◆行为研究∩中取得重要进展
新闻公告
- 中国科大锂电池固态电解质机理研究取得重要进▅展 04-16
- 中国科学技术大学研究生招生宣传工作全面展开 04-16
- 中国科大锂电池固态电解质机理研究取得重要进展 04-16
- 界面调控♀新发现:单层氧化物薄膜的新型磁各向异性 04-14
- 邓向阳调研中科院量子信息与量子科技创新研究院建设 04-12
- 吴汉明院士来中国科学技◤术大学座谈交流 04-10
高考招生
- 中国科学技术大学2017年招生章程 08-05
- 中国科学技术大学2018年招生章程 08-05
- 中国科学技术大学2015年招生章程 08-05
- 中国科学技术大学2016年招生章程 08-05
- 中国科学技术大学2014年本科招生章程 08-05
- 中国科学技术大学2012年本科招生章程 08-05
- 中国科学技术大学2013年本科招生工作章程 08-05
- 中国科学技术大学2008年本科招生工作章程 08-05
- 中国科学技术大学2009年本科招生工作章程 08-05
- 中国科学技术大学2010年本科招生章程 08-05